تحلیل و طراحی اشمیت تریگر CMOS قدیمی در عملکرد زیرآستانه

 

چکیده ــ در این مقاله، اشمیت تریگر (ST) CMOS قدیمی در ناحیه کاری زیر-آستانه، مورد تحلیل قرار می‏گیرد. مشخصه‏ی انتقال ولتاژ DC کامل مربوط به CMOS ST (اشمیت تریگر CMOS)، تعیین می‏گردد. قسمت‏های شبه-پایدار مشخصه بر حسب مقاومت منفی مدارات فرعی NMOS و PMOS در اشمیت تریگر، تشریح می‏گردد. برای تعیین کمینه ولتاژ منبع که در آن هیسترزیس ظاهر می‏شود، و نیز برای بدست آردن تخمینی سرانگشتی از عرض هیسترزیس، تحلیل سیگنال کوچک انجام می‏پذیرد. نشان داده شده است که کمینه ولتاژ منبع مورد نیاز تیوری برای بدست آوردن هیسترزیس در دمای اتاق، به صورت  است. یک تراشه‏ی تست با اشمیت تریگرهای CMOS روی فناوری 180 نانومتری طراحی و ساخته شده است تا عملکرد آنها در ولتاژهای منبع بین 50 mV و 1000 mV مورد مطالعه قرار گیرد.

اصطلاحات شاخص ــ اینورتر CMOS، اشمیت تریگر، عملکرد زیرآستانه، توان بسیار-پایین، ولتاژ بسیار-پایین.

Analysis and Design of the Classical CMOS Schmitt Trigger in Subthreshold Operation

85,000 ریال – خرید

درباره electricaltranslate

کارشناس برق قدرت مسلط به ترجمه متون که از سال 91 آغاز به ترجمه تخصصی مقالات و متون برق کرده ام. همه مقالات موجود ترجمه صاحب سایت می باشد
این نوشته در مقالات ترجمه شده مهندسی الکترونیک، مخابرات و کنترل, همه مقالات ترجمه شده ارسال و , , , , , , , , , , برچسب شده است. افزودن پیوند یکتا به علاقه‌مندی‌ها.

دیدگاهتان را بنویسید